http://d.hatena.ne.jp/Takeuchi-Lab/20120612/1339464759
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科教授の竹内健氏らの研究グループは、
高速な書き換えが可能なReRAM（抵抗変化型メモリ）と大容量のNANDフラッシュ・メモリを
組み合わせたハイブリッド構造のSSDアーキテクチャを開発した。
NANDフラッシュ・メモリのみを用いた従来のSSDに比べて、書き込み性能を11倍、
消費電力を93％減、書き換え寿命を6.9倍にできるという。
キャッシュとアルゴリズムだけで大幅性能アップ。
ReRAM の説明を読むと、将来的には SSD に置き変わる可能性があるのか。
Wikipedia - ReRAM
竹内先生の本↓。面白いらしい。
世界で勝負する仕事術最先端ITに挑むエンジニアの激走記